قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 4 تيرابايت – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 4 تيرابايت – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

2,100.00 NIS
🚀
سرعة فائقة PCIe Gen5
⚙️
تقنية سامسونج V-NAND
⚡
ذاكرة تخزين مؤقتة DRAM بسعة 2 جيجابايت
🛡️
ضمان لمدة 5 سنوات
نفدت الكمية - ستتوفر قريباً

📍 الدفع عند الاستلام متاح

وصف

يُعدّ محرك الأقراص الصلبة سامسونج 9100 برو بسعة 4 تيرابايت من الجيل التالي PCIe Gen5 NVMe SSD، وهو مصمم لسرعة فائقة، وألعاب متطورة، وأعباء عمل احترافية. بفضل أداء القراءة/الكتابة فائق السرعة، وتقنية V-NAND المتقدمة، وذاكرة التخزين المؤقت DRAM المخصصة، فإنه يوفر استجابة استثنائية وموثوقية طويلة الأمد.

  • ✓
    سرعات قراءة تصل إلى 14700 ميجابايت/ثانية وسرعات كتابة تصل إلى 13300 ميجابايت/ثانية للوصول إلى البيانات بسرعة فائقة.
  • ✓
    يضمن كفاءة أعلى، واستقرارًا، وعمرًا أطول.
  • ✓
    أوقات تحميل أسرع، وتعدد مهام أكثر سلاسة، واستجابة محسّنة للنظام.
  • ✓
    مثالي لتحرير الفيديو بدقة 4K/8K، والمعالجة، ومهام الذكاء الاصطناعي، وأجهزة الكمبيوتر المخصصة للألعاب عالية الأداء.
  • ✓
    متانة طويلة الأمد مدعومة بجودة سامسونج الموثوقة.

اسم المنتج: سامسونج 9100 برو
الموديل: MZ-VAP4T0BW
سلسلة: 9100 برو

تخزين:
السعة: 4 تيرابايت
عامل الشكل: M.2 2280

واجهة المستخدم:
النوع: PCI-Express 5.0 x4
إصدار NVMe: NVMe 2.0

أداء:
أقصى سرعة للقراءة: "14,700 ميجابايت/ثانية"
أقصى سرعة للكتابة: "13300 ميجابايت/ثانية"

ذاكرة:
نوع ذاكرة NAND: سامسونج V-NAND
ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة الديناميكية:
النوع: LPDDR4
السعة: 2 جيجابايت

الضمان: 5 سنوات

×
‹
›
قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 4 تيرابايت – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث
1 / 1

قد يعجبك ذلك

المنتجات المقترحة

قرص تخزين Samsung 990 PRO بسعة 1 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7450 ميجابايت/ث وكتابة 6900 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 990 PRO بسعة 1 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7450 ميجابايت/ث وكتابة 6900 ميجابايت/ث

800.00 NIS
عرض المنتج
قرص تخزين Samsung 990 EVO Plus بسعة 2 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7250 ميجابايت/ث وكتابة 6300 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 990 EVO Plus بسعة 2 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7250 ميجابايت/ث وكتابة 6300 ميجابايت/ث

880.00 NIS
عرض المنتج
قرص تخزين Samsung 990 PRO بسعة 2 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7450 ميجابايت/ث وكتابة 6900 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 990 PRO بسعة 2 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7450 ميجابايت/ث وكتابة 6900 ميجابايت/ث

1,200.00 NIS
عرض المنتج
قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 2 تيرابايت – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 2 تيرابايت – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

1,300.00 NIS
عرض المنتج
قرص تخزين Samsung 990 EVO Plus بسعة 4 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7250 ميجابايت/ث وكتابة 6300 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 990 EVO Plus بسعة 4 تيرابايت – NVMe – M.2 2280 – PCIe 4.0 – بسرعة قراءة تصل إلى 7250 ميجابايت/ث وكتابة 6300 ميجابايت/ث

1,750.00 NIS
عرض المنتج
قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 4 تيرابايت مع مشتت حراري – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

قرص تخزين Samsung 9100 PRO بسعة 4 تيرابايت مع مشتت حراري – NVMe 2.0 – M.2 2280 – PCIe 5.0 x4 – بسرعة قراءة تصل إلى 14800 ميجابايت/ث وكتابة 13400 ميجابايت/ث

2,450.00 NIS
عرض المنتج
شاشة سامسونج Odyssey Neo G9 بمقاس 57 بوصة – دقة DUHD، تقنية Mini-LED، موديل S57CG952NM، معدل تحديث 240Hz، زمن استجابة 1ms، لوحة QLED

شاشة سامسونج Odyssey Neo G9 بمقاس 57 بوصة – دقة DUHD، تقنية Mini-LED، موديل S57CG952NM، معدل تحديث 240Hz، زمن استجابة 1ms، لوحة QLED

9,999.00 NIS
عرض المنتج
عرض المزيد
اذهب إلى جميع المنتجات في المجموعة